长鑫科技申请半导体结构相关专利，提高晶体管性能

金融界2025年4月26日消息，国家知识产权局信息显示，长鑫科技集团股份有限公司申请一项名为“半导体结构及其制备方法、存储阵列结构”的专利，公开号CN119866010A，申请日期为2023年10月。

专利摘要显示，本公开实施例涉及半导体领域，提供一种半导体结构及其制备方法、存储阵列结构，半导体结构包括：基底，位于基底上的第一晶体管以及第二晶体管，第一晶体管包括第一半导体层、第一栅极、读位线以及读字线，第一半导体层包括沿第一方向相对的第一端以及第二端，读位线与第一端电接触，读字线与第二端电接触；第二晶体管包括第二半导体层、第二栅极、写位线以及写字线，第二半导体层包括沿第二方向相对的第三端以及第四端，第一栅极与第三端电接触，写位线与第四端电接触；第一方向与第二方向相交；其中，读位线、读字线以及写位线三者中的至少两者在基底的正投影重叠。

天眼查资料显示，长鑫科技集团股份有限公司，成立于2016年，位于合肥市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本5777094.224万人民币。通过天眼查大数据分析，长鑫科技集团股份有限公司共对外投资了19家企业，参与招投标项目1079次，财产线索方面有商标信息222条，专利信息354条，此外企业还拥有行政许可28个。

本文源自：金融界

作者：情报员