合肥晶合集成电路申请半导体测试结构及测试方法专利，能够对 Poly 间距较小的源极和漏极区域的反偏结漏电进行量测

金融界 2025 年 3 月 29 日消息，国家知识产权局信息显示，合肥晶合集成电路股份有限公司申请一项名为“一种半导体测试结构及测试方法”的专利，公开号 CN 119695031 A，申请日期为 2025 年 2 月。

专利摘要显示，本发明提供了一种半导体测试结构及测试方法，半导体测试结构包括衬底，其上形成有掺杂区，掺杂区的底部连续；至少两个金属氧化物场效应管；接触区，形成于掺杂区上；导通电压端，电连接于栅极，用于施加导通电压，以导通金属氧化物场效应管；测试电压端，电连接于第一重掺杂区和/或第二重掺杂区，用于施加扫描电压；以及电流量测端，电连接于接触区；其中，测试电压端、金属氧化物场效应管、源漏区、掺杂区、接触区、电流量测端形成量测回路。通过本发明提供的一种半导体测试结构及测试方法，能够对 Poly 间距较小的源极和漏极区域的反偏结漏电进行量测。

天眼查资料显示，合肥晶合集成电路股份有限公司，成立于2015年，位于合肥市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本200613.5157万人民币，实缴资本152959.1001万人民币。通过天眼查大数据分析，合肥晶合集成电路股份有限公司共对外投资了7家企业，参与招投标项目620次，财产线索方面有商标信息41条，专利信息1068条，此外企业还拥有行政许可16个。

本文源自：金融界

作者：情报员