关注！高功率密度905nm多结半导体激光芯片项目启动！

3月25日，由瑞波光电牵头承担的国家重点研发计划“新型显示与战略性电子材料”重点专项“高功率密度905nm多结半导体激光芯片”项目启动暨实施方案论证会在华南理工大学顺利召开。

“高功率密度905nm多结半导体激光芯片” 项目于2024年12月立项，由深圳瑞波光电子有限公司承担。“新型显示与战略性电子材料”重点专项重点支持相关重要科学前沿或我国科学家取得原创突破，应用前景明确，有望产出具有变革性影响技术原型，对经济社会发展产生重大影响的前瞻性、原创性的基础研究和前沿交叉研究。

专家组一致认为项目以创新的多隧道结技术实现器件性能的优化、新颖的光束限制结构的技术路线具有显著前瞻性、波长稳定技术提升了测距能力降低了功耗，并建议项目组在实施过程中建立技术指标动态优化机制与协同创新机制，强化多个应用场景落地，助力项目高效完成。

文章来源：激光行业观察