长存创芯申请存储器操作相关专利，提高了OTP存储单元的编程效率

金融界2025年5月5日消息，国家知识产权局信息显示，长存创芯（北京）集成电路设计有限公司申请一项名为“存储器操作方法、存储器及存储系统”的专利，公开号CN119920289A，申请日期为2024年12月。

专利摘要显示，本公开提供一种存储器操作方法、存储器及存储系统，涉及存储器技术领域。该存储器包括存储单元阵列，存储单元阵列中的存储单元包括相连接的控制栅极和存储栅极。该方法包括：对存储单元阵列中的选定存储单元的控制栅极施加第一电压，对选定存储单元的存储栅极施加第一时长的第一编程电压，然后对选定存储单元进行验证操作，并在验证操作的结果为未通过的情况下，对选定存储单元的存储栅极施加第二时长的第二编程电压，其中，第二时长大于第一时长，和/或，第二编程电压大于第一编程电压。该方法提高了OTP存储单元的编程效率，减少了功率泄露。

天眼查资料显示，长存创芯（北京）集成电路设计有限公司，成立于2019年，位于北京市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本5000万人民币。通过天眼查大数据分析，长存创芯（北京）集成电路设计有限公司专利信息6条，此外企业还拥有行政许可8个。

本文源自：金融界

作者：情报员